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元件参数资料
>
参数目录40355
> SP8K5TB MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
型号:
SP8K5TB
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SP8K5TB PDF
产品目录绘图
RRS, RSS Series 8-SOP, 8-SOIC
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
83 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SP8K5TBCT
查看SP8K5TB代理商
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